第一章 单元测试
1、单选题：
信息显示技术材料未来的发展方向是：
选项：
A:PDP
B:OLED
C:LCD
D:CRT
答案: 【OLED】
第二章 单元测试
1、判断题：
导体膜是用于形成电路中的电阻。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
2、单选题：
低真空的压力范围为（ ）
选项：
A:103－10-2 Pa
B:102－10-1 Pa
C:105－102 Pa
D:10-1－10-6 Pa
答案: 【102－10-1 Pa】
3、判断题：
压强低时，分子稀薄，真空度高，分子的平均自由程短。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
4、判断题：
分子泵必须在一定的真空度下才能有效的运行。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
5、多选题：
关于PVD的特点，下列说法正确的是 ( )
选项：
A:固态或熔融态作源物质
B:较低真空度
C:没有化学反应
D:经过物理过程转移
答案: 【固态或熔融态作源物质;没有化学反应;经过物理过程转移】
第三章 单元测试
1、单选题：
下列材料中，用于制作厚膜电阻材料的是 ( )
选项：
A:金
B:RuO2
C:钼-锰粉体
D:BaTiO3
答案: 【】
2、判断题：
按膜厚分，小于1μm的为薄膜。
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
3、判断题：
触变型流体随着切应力的增加，凝胶结构的分子间价键破裂，粘度增加
选项：
A:对
B:错
答案: 【】
4、判断题：
厚膜导体材料中的银导体，其最大特点是电导率高，最大缺点是易氧化。
选项：
A:对
B:错
答案: 【】
5、判断题：
对电容器等用的介质膜则需要介电常数大。
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
第四章 单元测试
1、判断题：
N2和H2中主要存在偶极子转向极化
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
2、判断题：
由于外加电压的作用，致使电介质内部发生化学变化而引起的击穿称为电介质的电化学击穿
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
3、多选题：
压电效应产生的条件有（）
选项：
A:其结构必须有带正负电荷的质点。即压电体是离子晶体或由离子团组成的分子晶体
B:晶体结构没有对称中心
C:压电体是电介质
D:晶体结构有对称中心
答案: 【】
4、多选题：
介电常数的意义包括（）
选项：
A:绝缘试验的理论依据
B:选择绝缘体用于电容器和电缆中
C:研究介质损耗的理论依据
D:用于多层介质的合理配合
答案: 【】
5、单选题：
（）产生的条件是体系必须是极性晶体，即具有特殊极化方向的晶体
选项：
A:热电效应
B:热释电效应
C:铁电效应
D:压电效应
答案: 【】
第五章 单元测试
1、单选题：
光电效应实验中，（ ）光照射金属后，所获得的遏止电压最大。
选项：
A:蓝
B:紫
C:红
D:黄
答案: 【】
2、多选题：
太阳能的利用方式主要有（）
选项：
A:光热利用
B:热电利用
C:光化学利用
D:光电利用
答案: 【】
3、单选题：
LED的工作电流会随着供应电压的变化及环境温度的变化而产生较大波动，所以LED一般工作在（ ）驱动状态。
选项：
A:可变交流
B:恒定交流
C:可变直流
D:恒定直流
答案: 【】
4、单选题：
辐射复合是指电子和空穴复合时，放出的能量以（）的形式辐射出去。
选项：
A:光
B:磁
C:电
D:热
答案: 【】
5、判断题：
激光器发光需要外界的诱发促使载流子复合的受激发射。
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
第六章 单元测试
1、单选题：
热电材料利用（）实现余热回收并转换成电能。
选项：
A:Seebeck效应
B:Peltier效应
C:Thomson效应
D:Joule效应
答案: 【】
2、单选题：
热电材料利用（）将电能直接转变成热能，用于热电制冷。
选项：
A:Thomson效应
B:Seebeck效应
C:Peltier效应
D:Joule效应
答案: 【】
3、判断题：
电流通过存在温度梯度的单一导体时，会产生可逆的Thomson热效应，不产生焦耳热。
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
4、判断题：
卫星和空间站的温差发电系统通常处于900K温度以上，可选用Bi2Te3/Sb2Te3系材料。
选项：
A:对
B:错
答案: 【】
5、单选题：
热电材料的性能通常用热电优值ZT来表示，其中Z的量纲为（）
选项：
A:无量纲
B:1/K
C:W/(m·K)
D:S/m
答案: 【】
第七章 单元测试
1、多选题：
超级电容器是介于什么器件之间的新型储能装置
选项：
A:电池
B:电容
C:电极
D:电阻
答案: 【】
2、多选题：
锂电池重放点过程有哪两个过程实现
选项：
A:嵌入
B:还原
C:脱嵌
D:氧化
答案: 【】
3、多选题：
超级电容器的忒点包括一下哪几个方面
选项：
A:使用寿命长
B:容量大
C:瞬间放电功率大
D:温度性能好
答案: 【】
4、多选题：
超级电容器按原理分类
选项：
A:赝电容原理
B:杂化电容器原理
C:动力学原理
D:双电层电容原理
答案: 【】
5、多选题：
双电层电容器由哪两层电荷组成
选项：
A:库仑力吸引到表面电荷的离子组成。
B:进入电解液物质内部的电子
C:电解液中的离子
D:表面电荷（正电荷或负电荷）由由于化学相互作用而吸附到物体上的离子组成。
答案: 【】
第八章 单元测试
1、单选题：
下列导电性最好的金属材料是（ ）
选项：
A:镍
B:银
C:钨
D:铁
答案: 【】
2、单选题：
一般认为薄膜导电材料的厚度在（ ）
选项：
A:5 nm以下
B:大于100 μm
C:20 nm至2μm
D:1 mm以上
答案: 【】
3、判断题：
用金、银、钯之类的金属和有机物构成有机金属浆料，具有成本低、耐蚀性好的优点
选项：
A:对
B:错
答案: 【】
4、判断题：
点缺陷引起的残余电阻率变化远比线缺陷的影响小
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
5、判断题：
金属薄膜试样的电导率与其厚度成正比
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
第九章 单元测试
1、多选题：
常用的贱金属电阻合金线有（ ）
选项：
A:银基合金线
B:康铜线
C:锰铜线
D:镍铬线
答案: 【】
2、多选题：
作为薄膜电阻材料要求材料具有以下哪些特性（ ）
选项：
A:电阻率范围宽
B:电阻电压系数小
C:电阻温度系数小
D:工艺性能好
答案: 【】
3、判断题：
碳基薄膜电阻材料是用碳氢化合物，如甲烷、汽油、苯等为原料在高温下热分解得到
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
4、判断题：
由于化学沉积膜反应时产生大量氢气，使镀膜多孔，其防潮性较差
选项：
A:对
B:错
答案: 【】
5、判断题：
厚膜电阻浆料中的粘结相主要起粘接导电相和坚固电阻体的作用，同时还有调整阻值、改善性能、提高膜层附着力等作用
选项：
A:对
B:错
答案: 【】
第十章 单元测试
1、单选题：
硅晶体结构是金刚石结构，每个晶胞中含有原子个数为（ ）
选项：
A:8
B:2
C:1
D:4
答案: 【】
2、单选题：
关于本征半导体，下列说法中错误的是（ ）
选项：
A:本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身
B:本征半导体不含有任何杂质和缺陷
C:本征半导体的费米能级基本位于禁带中线处
答案: 【】
3、多选题：
半导体材料最常见的两种晶体结构是（ ）
选项：
A:金刚石型
B:闪锌矿型
C:氯化钠型
答案: 【】
4、单选题：
与绝缘体相比，半导体的价电子激发到导带所需的能量（ ）
选项：
A:比绝缘体小
B:与绝缘体的相同
C:比绝缘体大
答案: 】
5、单选题：
将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（ ）杂质作用
选项：
A:复合中心
B:受主
C:陷阱
D:施主
答案: 【】
第十一章 单元测试
1、单选题：
磁滞回线的形状可以反映磁性材料的基本磁性能。磁致回线的宽度越窄，代表该材料的（）
选项：
A:起始磁导率越高
B:越易被磁化
C:剩余磁感应强度越大
D:矫顽力越高
答案: 【】
2、单选题：
下列方法不能用于提高软磁材料起始磁导率的是（）
选项：
A:减少材料内部杂质、气孔含量
B:增大磁致伸缩系数，提高内应力
C:降低磁晶各向异性常数
D:提高材料饱和磁化强度
答案: 【】
3、单选题：
作为磁存储材料，对磁头材料的性能要求描述错误的是（）
选项：
A:耐磨性好，提高使用寿命
B:高矫顽力，易于保存信号
C:磁导率高，提高信号灵敏度
D:电阻率高，以降低高频涡流损耗
答案: 【】
4、多选题：
下列属于软磁材料磁性特点的是：（）
选项：
A:起始磁导率高
B:饱和磁化强度高
C:电阻率低
D:硬度低
答案: 【
5、判断题：
改善永磁材料性能的关键在于提高材料的剩磁，其中主要技术手段是提高材料的高和磁化强度和提高磁滞回线矩形比两方面。提高矩形比的关键在于增大材料磁各向异性。
选项：
A:错
B:对
答案: 【】
请先 ！